湖南静芯（http://www.elecsuper.com/）推出超强抗ESD集成型MOSFET型号ES1N20AK，应用于DC-DC转换，电源开关以及充电电路等。该器件在SOT-23-3L封装内集成ESD器件，使MOS管在无ESD保护的情况下GS端有IEC 6kV，HBM8 kV的静电防护能力，和业内竞品相比，栅极漏电流与输入电容明显降低，防护性能显著提高，性能提升明显。

       传统带ESD MOS管，ESD 人体模型（HBM）防护能力在2kV左右，栅极漏电流IGSS在5至30uA左右，且集成ESD功能多由栅极集成串联poly（多晶）电阻方式来解决ESD问题，原理是在栅极串联一个比较大的电阻，造成了MOS管开关时间变长，高频领域应用受限。同时由于传统集成ESD MOSFET工艺复杂，一般情况会比不集成ESD MOSFET价格高30%~40%。与传统带ESD MOS器件相比，湖南静芯的增强ESD型MOSFET系列，人体模型（HBM）防护能大于±8kV，IEC61000-4-2 Contact 标准防护能力大于±6kV，栅极漏电流IGSS 典型值为1~10nA（MAX<100nA），栅极电阻与传统不带ESD MOS管一致，对MOS管的栅极性能基本没有影响，抗静电能力领先市面上传统集成ESD MOSFET很多，且不影响高频领域的使用。湖南静芯提出创新工艺，使得公司增强ESD型MOSFET系列成本与常规不带ESD MOS成本非常接近，为客户提供了高性价、高静电能力的MOSFET新选择。

湖南静芯集成ESD MOSFET与传统集成ESD MOSFET参数对比：

        ES1N20AK N型 200V MOSFET，IGSS低至±100nA，ESD防护能力人体模型（HBM）>±8kV，61000-4-2（IEC）>±6kV，相较于市面上的同类型防护器件，在同等的测试环境中，拥有更低的IGSS栅极漏电流，更高的ESD防护能力以及更低的输入输出电容。ES1N20AK与市场上传统集成ESD MOSFET产品规格书参数对比如图所示：

ES1N20AK增强ESD型MOS管电气参数表：